Micron ha presentado su nuevo módulo de memoria DDR5 de 256 GB, que promete velocidades de hasta 9,200 megatransfers por segundo (MT/s), superando en más del 40% la velocidad de los módulos actualmente en producción. Este anuncio se realizó el pasado martes en Boise, Idaho, y está dirigido a validadores clave del ecosistema de servidores para garantizar su compatibilidad en plataformas.
Los módulos, conocidos como RDIMM, están en fase de muestreo y se ofrecen a aquellas empresas dispuestas a colaborar en el proceso de validación. Micron busca acelerar la implementación de esta memoria de alto ancho de banda para centros de datos que construyen infraestructuras de inteligencia artificial (IA) y computación de alto rendimiento (HPC).
Además, el módulo de 256 GB permite una reducción del consumo energético de más del 40% en comparación con dos módulos de 128 GB, mejorando la eficiencia para los centros de datos modernos. La tecnología de este módulo incluye técnicas avanzadas de empaque y apilamiento 3D, lo que contribuye a un aumento significativo en la eficiencia.